高低温冷热冲击试验箱半导体芯片封装

高低温冷热冲击试验箱半导体芯片封装

高低温冲击试验箱根据试验需求及测试标准分为三箱式和两箱式，区别在于试验方式和内部结构不同。三箱式分为蓄冷室，蓄热室和试验室，产品在测试时是放置在试验室。两箱式分为高温室和低温室，是通过电机带动提篮运动来实现高低温的切换，产品放在提篮里，是随提篮一起移动的。

高低温冷热冲击试验箱半导体芯片封装

高低温冲击试验箱执行与满足标准:

1、GB/T2423.1-2001低温试验方法;

2、GB/T2423.2-2001;

3、GB/T2423.22-1989温度变化试验N;

4. 军标GJB150.3-86;

5. 军标GJB150.4-86;

6. 军标GJB150.5-86;

7、GJB150.5-86温度冲击试验;

8、GJB360.7-87温度冲击试验;

9、GJB367.2-87 405温度冲击试验;

10、SJ/T10187-91Y73系列温度变化试验箱--一箱式;

11、SJ/T10186-91Y73系列温度变化试验箱--二箱式;

12、满足标准IEC68-2-14_试验方法N_温度变化;

10、GB/T 2424.13-2002试验方法温度变化试验导则;

11、GB/T 2423.22-2002温度变化;

12、QC/T17-92汽车零部件耐候性试验一般规则;

13、EIA 364-32热冲击(温度循环)测试程序的电连接器和插座的环境影响评估。